Samsung M333R4GA3EB1-CCP Memory Module, 32GB, DDR5, 6400, CL52, CUDIMM

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  • Type de mémoire interneDDR5
  • Débit de transfert des données de mémoire6400 MHz
  • Internal memory32 GB
  • Latence CAS52
  • composant pourPC/server
  • Toutes les caractéristiques

Module de Mémoire Samsung M333R4GA3EB1-CCP

Améliorez votre système de bureau avec le Module de Mémoire Samsung M333R4GA3EB1-CCP. Ce module de mémoire DDR5 de haute performance de 32Go est conçu pour améliorer les capacités des systèmes de bureau compatibles prenant en charge la mémoire CUDIMM. Avec une vitesse remarquable de 6400 MT/s et une latence CL52, vous pouvez profiter d'un multitâche fluide et d'une performance de jeu améliorée.

Conçu avec une classification de vitesse PC5-51200, ce module garantit une performance optimale en incorporant un driver d'horloge sur le module qui maintient l'intégrité des signaux, surtout à des débits de données DDR5 plus élevés. L'organisation à double rang de ce module maximise le débit de mémoire, ce qui en fait un choix idéal pour les applications exigeantes.

Caractéristiques Principales

  • Type de Mémoire : DDR5
  • Capacité de Mémoire : 32Go
  • Vitesse de Mémoire : 6400 MT/s
  • Latence : CL52
  • Tension : 1.1V
  • Format : CUDIMM à 288 broches
  • Compatibilité : Conçu pour les systèmes de bureau prenant en charge la mémoire DDR5 CUDIMM
  • Organisation de Mémoire : 2Rx8

Spécifications du Produit

Spécification Détails
Code Produit M333R4GA3EB1-CCP
Type de Mémoire DDR5
Taille de Mémoire 32Go
Kit de Mémoire 1x32Go
Vitesse Max de Mémoire 6400 MT/s
Vitesse par Défaut de Mémoire 4800 MT/s
Cycles d'Horloge de Mémoire CL52
Tension de Mémoire 1.1V
Format CUDIMM à 288 broches
Architecture Dual Rank (2Rx8)

Contenu de la Boîte

  • Module de Mémoire Samsung M333R4GA3EB1-CCP
Main
Brand
Samsung
Features
composant pour
PC/server
Débit de transfert des données de mémoire
6400 MHz
Internal memory
32 GB
Latence CAS
52
Mémoire de tension
1.1V
Memory layout (slots x size)
1 x 32 Go
Type de mémoire interne
DDR5

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