Samsung MZ-VAP8T0 - 8TB SSD, PCI Express 5.0, NVMe V-NAND TLC, M.2

Découvrez un stockage ultra-rapide avec le SSD Samsung 8 To PCIe 5.0 NVMe !
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Caractéristiques principales

  • MarqueSamsung
  • Capacité du Solid State Drive (SSD)8 TB
  • Facteur de forme SSDM.2
  • NVMeOui
  • Vitesse de lecture14800 Mo/s
  • Vitesse d'écriture13400 Mo/s
  • Interface du Solid State Drive (SSD)NVMe
  • Version PCI ExpressPCIe 5.0
  • GarantieGarantie 5 ans

Samsung MZ-VAP8T0 - SSD de 8 To

Déverrouillez le potentiel de votre expérience informatique avec le Samsung MZ-VAP8T0, un SSD de 8 To de pointe conçu pour ceux qui exigent les normes les plus élevées en matière de performance. Grâce à l'interface révolutionnaire PCI Express 5.0 et à la technologie NVMe V-NAND TLC, ce SSD M.2 redéfinit la rapidité et l'efficacité, offrant des taux de transfert de données exceptionnels qui propulsent votre productivité et votre créativité.

Caractéristiques principales

  • Performance ultra-rapide : Découvrez des vitesses de lecture/écriture séquentielles allant jusqu'à 14 800/13 400 Mo/s, surpassant son prédécesseur, le 990 PRO, et établissant un nouveau standard en matière de performance de stockage.
  • Efficacité IOPS élevée : Atteignez des vitesses de lecture/écriture aléatoires allant jusqu'à 2 200K/2 600K IOPS, permettant un multitâche fluide et un traitement ultra-rapide pour des applications exigeantes.
  • Performance alimentée par l'IA : Améliorez votre création de contenu et vos expériences de jeu grâce à des fonctionnalités IA intégrées qui réduisent considérablement les temps de chargement.

Optimisez votre flux de travail

Le Samsung MZ-VAP8T0 n'est pas seulement synonyme de rapidité brute ; c'est un outil transformateur pour votre flux de travail. Que vous soyez en train de faire du montage vidéo, du rendu 3D ou du multitâche intensif, la généreuse capacité de 8 To de ce SSD offre amplement d'espace pour tous vos fichiers volumineux et applications, vous permettant de travailler plus efficacement que jamais.

Gestion thermique avancée

Doté de technologies innovantes de contrôle thermique, le MZ-VAP8T0 minimise efficacement la surchauffe, garantissant des performances ininterrompues même lors de charges de travail lourdes. Grâce à son architecture de contrôleur avancée de 5 nm, il améliore l'efficacité énergétique jusqu'à 49 % par rapport aux modèles précédents, ce qui signifie que vous pouvez compter sur des performances de pointe constantes sans compromis.

Logiciel Samsung Magician

Améliorez la gestion de votre stockage avec le Logiciel Samsung Magician. Cette application puissante fournit des outils d'optimisation essentiels pour maintenir votre SSD, y compris la migration de données sécurisée, la surveillance en temps réel de l'état et des mises à jour de firmware sans effort, tous conçus pour prolonger la durée de vie et la performance de votre disque.

Pourquoi choisir le Samsung MZ-VAP8T0 ?

  • Performance inégalée : Maximisez votre productivité avec des vitesses d'accès et de transfert de données inégalées.
  • Polyvalence exceptionnelle : Parfait pour les gamers, les professionnels du contenu et toute personne nécessitant une performance haut de gamme.
  • Technologie avant-gardiste : Adoptez l'avenir avec le support PCIe 5.0 et la technologie NAND avancée.

Élevez votre configuration informatique avec le Samsung MZ-VAP8T0 - où performance rime avec fiabilité. Repoussez vos limites et savourez une expérience informatique fluide et ultra-efficiente comme jamais auparavant.

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Toutes les caractéristiques 29

Principal4
Garantie
Garantie 5 ans
Marque
Samsung
Code produit
MZ-VAP8T0BW
Code EAN/UPC
8806095811680
Stockage2
Facteur de forme SSD
M.2
NVMe
Oui
Caractéristiques4
Capacité du Solid State Drive (SSD)
8 TB
Flux de données d'interface PCI Express
x4
Le chiffrement matériel
Oui
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui
Performances9
Écriture aléatoire (4KB)
2600000 IOPS
Interface du Solid State Drive (SSD)
NVMe
Lecture aléatoire (4KB)
2200000 IOPS
Support S.M.A.R.T.
Oui
Support TRIM
Oui
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Type de mémoire
V-NAND TLC
Vitesse d'écriture
13400 Mo/s
Vitesse de lecture
14800 Mo/s
Ports et interfaces1
Version PCI Express
PCIe 5.0
Général1
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Alimentation1
Tension de fonctionnement
3.3 V
Conditions de fonctionnement2
Choc durant le fonctionnement
1500 G
Température d'opération
0 - 70
Détails techniques1
Période de garantie
5 année(s)
Données d'emballage1
Type d'emballage
Box
Poids et dimensions3
Hauteur
22,1 mm mm
Largeur
80,2 mm
Profondeur
3,88 mm
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